
Mar Puigibert vom IHP – Leibniz-Institut für Hochleistungsmikroelektronik stellte erste Ergebnisse des ersten Jahres des Projekts LEOMEM vor. Dabei untersuchte sie, wie sich die durch die Röntgenbestrahlung im Weltraum verursachten Auswirkungen der Gesamtionisationsdosis auf die 1T1R-Arrays auswirken, die von Grund auf strahlungsfest ausgelegt sind, da der Standard-nMOS-Transistor durch einen Enclosed-Layout-Transistor (ELT) ersetzt wurde.
