MemrisTec
Markus Fritscher, Simranjeet Singh, Tommaso Rizzi, Andrea Baroni, Daniel Reiser, Maen Mallah, David Hartmann, Ankit Bende, Tim Kempen, Max Uhlmann, Gerhard Kahmen, Dietmar Fey, Vikas Rana, Stephan Menzel, Marc Reichenbach, Milos Krstic, Farhad Merchant, Christian Wenger
Sci Rep 14, 23695 (2024), 10 October 2024
Markus Fritscher, Max Uhlmann, Philip Ostrovskyy, Daniel Reiser, Junchao Chen, Andreas Schubert
2024 IEEE Computer Society Annual Symposium on VLSI (ISVLSI), 01-03 July 2024
Daniel Reiser, Junchao Chen, Johannes Knödtel, Andrea Baroni, Miloš Krstić, Marc Reichenbach
Design Automation for Embedded Systems, 10 April 2024
Max Uhlmann, Tommaso Rizzi, Jianan Wen, Emilio Pérez-Bosch Quesada, Bakr Al Beattie, Karlheinz Ochs, Eduardo Pérez, Philip Ostrovskyy, Corrado Carta, Christian Wenger, Gerhard Kahmen
18th ACM International Symposium on Nanoscale Architectures (NANOARCH), 18-20 December 2023
Daniel Reiser, Marc Reichenbach, Tommaso Rizzi, Andrea Baroni, Markus Fritscher, Christian Wenger, Cristian Zambelli, Davide Bertozzi
21st IEEE Interregional NEWCAS Conference (NEWCAS), 26-28 June 2023
Ruolan Jia, Stefan Pechmann, Andrea Baroni, Christian Wenger, Amelie Hagelauer
18th International Conference on Ph.D Research in Microelectronics and Electronics, PRIME 2023, Valencia, 18.-21.06.2023
Emilio Perez-Bosch Quesada, Tommaso Rizzi, Aditya Gupta, Mamathamba K. Mahadevaiah, Andreas Schubert, Stefan Pechmann
2023 14th Spanish Conference on Electron Devices (CDE), 06-08 June 2023
Abhinav Vishwakarma, Markus Fritscher, Amelie Hagelauer, Marc Reichenbach
IT - Information Technology, Volume 65, Issue 1-2, 4 May 2023
Tommaso Rizzi; Andrea Baroni; Artem Glukhov; Davide Bertozzi; Christian Wenger; Daniele Ielmini; Cristian Zambelli
2022 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), 09-14 October 2022, South Lake Tahoe, CA, US
T. Rizzi, E. Pérez-Bosch Quesada, Ch. Wenger, C. Zambelli, D. Bertozzi
36th Conference on Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS 2021), Vila do Conde, November 24 - 26, 2021, Portugal
Fritscher, J. Knödtel, M. Mallah, S. Pechmann, E. Perez-Bosch Quesada, T. Rizzi, Ch. Wenger, M. Reichenbach
21st International Conference on Embedded Computer Systems: Architectures, Modeling and Simulation (SAMOS 2021), Pythagorion, July 04 - 08, 2021, Greece
Ch. Wenger, M.K. Mahadevaiah, T. Rizzi, E. Perez-Bosch Quesada, E. Perez
10th International IEEE/EMBS Conference on Neural Engineering (NER 2021), online, May 04 - 06, 2021, Germany
Mikroelektronische Schaltungen, die in Raumfahrtanwendungen eingesetzt werden, müssen widerstandsfähig gegen Strahlungseinflüsse sein. Das Konzept des Internet-of-Space (IoS) wird zukünftig den Internetzugang in ländlichen Regionen unterstützen. Um dieses Konzept zu realisieren, ist es entscheidend, strahlungsharte Elektronikchips in die Umlaufbahn zu bringen, wo sie zuverlässig arbeiten müssen.
Memristive Bauelemente eignen sich für solche Aufgaben, da die elektrischen Schalteigenschaften auf Ionen statt auf Elektronen basieren. Neben ihren Schalteigenschaften in Bezug auf die Strahlungshärte sind RRAMs auch nichtflüchtige Speicher (NVM). Um die höchste Zuverlässigkeit der verwendeten CMOS-Elektronik im Weltraum oder in anderen mit terrestrischer Strahlung kontaminierten Umgebungen zu erreichen, ist es empfehlenswert, den Inhalt des gesamten Computersystems in einem sicheren Backup-Speicher zu speichern. Für diese Art von Backup-System sind RRAMs aufgrund ihrer Strahlungshärte und der Nichtflüchtigkeit der in den Speicherzellen gespeicherten Daten im Falle eines Stromausfalls hilfreich. Nichtflüchtige Speicherprozessoren, bestehend aus RRAMs, sind deshalb für IoS-Anwendungen attraktiv.
In diesem Projekt wollen wir einen Schritt weiter gehen und einen Teil der Verarbeitungslast in den RRAM-Speicher im Sinne eines In-Memory-Computing-Konzepts verschieben. Die In-Memory-Operationen werden in den strahlungsharten Sense-Verstärkern eines RRAM-Arrays durch Signalauswertung und direkte Integration von memristiven RRAM-Zellen in einem Schritt durchgeführt. Um die Funktionalität der strahlungsharten Systemarchitektur zu überprüfen, setzen wir auf intensive Simulationsarbeit. In der Simulationsumgebung wird ein neues Modell für memristive Bauelemente zur Untersuchung der gesamten strahlungsharten Systemarchitektur unter Verwendung von In-Memory-Computing zur Fehlererkennung eingesetzt.
Der Schwerpunkt dieses Projektantrages liegt auf der Erforschung neuer technologischer Ideen. Der strahlungsharte Speicher-Ansatz mit einem neuen nichtflüchtigen Speicherkonzept, dem so genannten RRAM, ist der Kern dieses Ansatzes. Um dieses Ziel erfolgreich zu erreichen, setzen wir auf diesen hochinnovativen Technologieansatz, der neuartige Internet-of-Space-Anwendungen ermöglicht.
